MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T022S7XTMA1

Codice RS:: 349-260
Codice costruttore:: IPT60T022S7XTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T022S7XTMA1

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Codice costruttore:: IPT60T022S7XTMA1
Costruttore:: Infineon

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	23A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	PG-HSOF-8
	Serie	IPT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	22mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	390W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.82V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	150nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	JEDEC, JS-001, RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 23A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package PG-HSOF-8
	Serie IPT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 390W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.82V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni JEDEC, JS-001, RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPT60T022S7XTMA1

Paese di origine:: MY

Il CoolMOS S7 di Infineon vanta i più bassi valori di Rdson per un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo dell'efficienza energetica. Il sensore di temperatura incorporato aumenta l'accuratezza e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione, mantenendo un'implementazione semplice e senza interruzioni. Il dispositivo CoolMOS S7 è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. È ideale per progetti di relè a stato solido, interruttori e raddrizzatori di linea in topologie SMPS e inverter. Il nuovo sensore di temperatura migliora le caratteristiche dell'S7, consentendo il miglior utilizzo possibile del transistor di potenza.

La tecnologia CoolMOS S7 consente di ottenere il più basso RDS(on) con il minimo ingombro

Prestazioni ottimizzate in applicazioni di commutazione a bassa frequenza

Elevata capacità di corrente di impulso

Diagnostica senza soluzione di continuità al sistema più basso

Funzione di rilevamento della temperatura per la protezione e l'utilizzo ottimizzato del dispositivo termico

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T022S7XTMA1

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