MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT60T022S7XTMA1

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Codice RS:
349-260
Codice costruttore:
IPT60T022S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPT

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.82V

Dissipazione di potenza massima Pd

390W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC, JS-001, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il CoolMOS S7 di Infineon vanta i più bassi valori di Rdson per un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo dell'efficienza energetica. Il sensore di temperatura incorporato aumenta l'accuratezza e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione, mantenendo un'implementazione semplice e senza interruzioni. Il dispositivo CoolMOS S7 è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. È ideale per progetti di relè a stato solido, interruttori e raddrizzatori di linea in topologie SMPS e inverter. Il nuovo sensore di temperatura migliora le caratteristiche dell'S7, consentendo il miglior utilizzo possibile del transistor di potenza.

La tecnologia CoolMOS S7 consente di ottenere il più basso RDS(on) con il minimo ingombro

Prestazioni ottimizzate in applicazioni di commutazione a bassa frequenza

Elevata capacità di corrente di impulso

Diagnostica senza soluzione di continuità al sistema più basso

Funzione di rilevamento della temperatura per la protezione e l'utilizzo ottimizzato del dispositivo termico

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