MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 0.82 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie

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Codice RS:
273-2795
Codice costruttore:
IPT60R022S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

0.82V

Serie

IPT

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

390W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un dispositivo di potenza CoolMOS SJ S7 da 600 V. Consente le migliori prestazioni in termini di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Il CoolMOS S7 vanta i valori di Rdson più bassi per un MOSFET HV SJ, con un notevole aumento dell'efficienza energetica. CoolMOS S7 è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. È ideale per la progettazione di relè e interruttori a stato solido e per il raddrizzamento della linea nelle topologie SMPS e inverter.

Totalmente privo di Pb

Conforme a RoHS

Tempi di commutazione più rapidi

Conduttori di facile ispezione visiva

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Design più compatto e semplice

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