MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 0.82 V, 22 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie
- Codice RS:
- 273-2796
- Codice costruttore:
- IPT60R022S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2796
- Codice costruttore:
- IPT60R022S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 23A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 0.82V | |
| Serie | IPT | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 390W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.82V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 23A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 0.82V | ||
Serie IPT | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 390W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.82V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un dispositivo di potenza CoolMOS SJ S7 da 600 V. Consente le migliori prestazioni in termini di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Il CoolMOS S7 vanta i valori di Rdson più bassi per un MOSFET HV SJ, con un notevole aumento dell'efficienza energetica. CoolMOS S7 è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. È ideale per la progettazione di relè e interruttori a stato solido e per il raddrizzamento della linea nelle topologie SMPS e inverter.
Totalmente privo di Pb
Conforme a RoHS
Tempi di commutazione più rapidi
Conduttori di facile ispezione visiva
Perdite di conduzione ridotte al minimo
Design più compatto e semplice
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