MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 77 A, 4 Pin, PG-LHSOF-4, Superficie IMTA65R020M2HXTMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

18,67 €

(IVA esclusa)

22,78 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 918,67 €
10 - 9916,81 €
100 +15,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
349-056
Codice costruttore:
IMTA65R020M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

77A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IMT

Tipo di package

PG-LHSOF-4

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

4.5 V

Dissipazione di potenza massima Pd

416W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore e un'eccezionale facilità d'uso. Questo MOSFET consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rendendolo ideale per soddisfare le crescenti esigenze dei moderni sistemi e mercati di potenza. La sua tecnologia avanzata offre una soluzione potente per ottenere un'elevata efficienza del sistema in un'ampia gamma di applicazioni.

Perdite di commutazione bassissime

Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V

Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare

Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

Link consigliati