MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB65R115CFD7AATMA1
- Codice RS:
- 273-2779
- Codice costruttore:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
2437,00 €
(IVA esclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,437 € | 2.437,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2779
- Codice costruttore:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.115Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 114W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.115Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 114W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di Infineon è un dispositivo di potenza CoolMOS CFD7A da 650 V. Si tratta di un MOSFET CoolMOS di ultima generazione, leader di mercato e qualificato per il settore automobilistico. Oltre alle note caratteristiche di alta qualità e affidabilità richieste dall'industria automobilistica, la nuova serie CoolMOS CFD7A prevede un body diode veloce integrato ed è utilizzabile per le topologie di commutazione PFC e risonanti come il ponte intero a sfasamento ZVS e LLC.
Minori perdite di commutazione
Alta qualità e affidabilità
Testato al 100% a valanga
Ottimizzato per tensioni di batteria più elevate