Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB65R115CFD7AATMA1

Codice RS:: 273-2779
Codice costruttore:: IPB65R115CFD7AATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB65R115CFD7AATMA1

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2104,00 €

(IVA esclusa)

2567,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 18 gennaio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
1000 +	2,104 €	2.104,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 273-2779
Codice costruttore:: IPB65R115CFD7AATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	21A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	PG-TO263-3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.115Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	114W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	41nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 21A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package PG-TO263-3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.115Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 114W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IPB65R115CFD7AATMA1

Il MOSFET di Infineon è un dispositivo di potenza CoolMOS CFD7A da 650 V. Si tratta di un MOSFET CoolMOS di ultima generazione, leader di mercato e qualificato per il settore automobilistico. Oltre alle note caratteristiche di alta qualità e affidabilità richieste dall'industria automobilistica, la nuova serie CoolMOS CFD7A prevede un body diode veloce integrato ed è utilizzabile per le topologie di commutazione PFC e risonanti come il ponte intero a sfasamento ZVS e LLC.

Minori perdite di commutazione

Alta qualità e affidabilità

Testato al 100% a valanga

Ottimizzato per tensioni di batteria più elevate

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.