MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.05 Ω Miglioramento, 45 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

10,37 €

(IVA esclusa)

12,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 116 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 4910,37 €
50 - 999,41 €
100 - 2498,65 €
250 - 4997,97 €
500 +7,41 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-2776
Codice costruttore:
IPB65R050CFD7AATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TO263-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.05Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

102nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di Infineon è un dispositivo di potenza CoolMOS CFD7A da 650 V. Si tratta di un MOSFET CoolMOS di ultima generazione, leader di mercato e qualificato per il settore automobilistico. Oltre alle note caratteristiche di alta qualità e affidabilità richieste dall'industria automobilistica, la nuova serie CoolMOS CFD7A prevede un body diode veloce integrato ed è utilizzabile per le topologie di commutazione PFC e risonanti come il ponte intero a sfasamento ZVS e LLC.

Minori perdite di commutazione

Alta qualità e affidabilità

Testato al 100% a valanga

Ottimizzato per tensioni di batteria più elevate

Link consigliati