MOSFET Infineon, canale Tipo N, 170 A 650 V, PG-TO263-7, Superficie Miglioramento, 7 Pin IMBG65R009M1HXTMA1

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Codice RS:
351-987
Codice costruttore:
IMBG65R009M1HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Potenza di uscita

555W

Serie

IMBG65

Tipo di package

PG-TO263-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.45 mm

Altezza

4.5mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

JEDEC

Standard automobilistico

No

Il dispositivo CoolSiC di Infineon è realizzato sulla base della tecnologia a carburo di silicio solido. Sfruttando le caratteristiche del materiale SiC a banda interdetta ampia, offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.

Comportamento di commutazione ottimizzato alle correnti più elevate

Diodo intrinseco rapido per una commutazione robusta e con basso Qfr

Affidabilità superiore dell'ossido di gate

Maggiore capacità di affrontare le scariche disruptive a valanga

Compatibile con i driver standard

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