MOSFET Infineon, canale Tipo N, 158 A 650 V, PG-TO263-7, Superficie Miglioramento, 7 Pin IMBG65R010M2H

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Codice RS:
351-964
Codice costruttore:
IMBG65R010M2H
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

158A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Potenza di uscita

535W

Tipo di package

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.2mm

Larghezza

9.45 mm

Standard/Approvazioni

JEDEC

Altezza

4.5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET CoolSiC G2 di Infineon in un pacchetto D2PAK-7 si basa sui punti di forza della tecnologia di Generazione 1 e consente di accelerare la progettazione di sistemi con soluzioni più efficienti, compatte, affidabili e ottimizzate dal punto di vista dei costi. La generazione 2 presenta miglioramenti significativi nelle figure di merito chiave per entrambe le topologie, hard-switching e soft-switching, adatte a tutte le combinazioni più comuni di stadi CA-CC, CC-CC e CC-CA.

Consente di risparmiare sulla distinta base

Massima affidabilità

Consente di ottenere la massima efficienza e densità di potenza

Facilità d'uso

Piena compatibilità con i fornitori esistenti

Consente di realizzare progetti senza ventola o dissipatore di calore

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