MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 33 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP110N65SF-GE3
- Codice RS:
- 735-263
- Codice costruttore:
- SIHP110N65SF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
4,64 €
(IVA esclusa)
5,66 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 31 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,64 € |
| 10 - 49 | 2,88 € |
| 50 - 99 | 2,23 € |
| 100 + | 1,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 735-263
- Codice costruttore:
- SIHP110N65SF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SF Series | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.115Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 83nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 313W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie SF Series | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.115Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 83nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 313W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'energia nei sistemi elettronici avanzati. Con una bassa capacità effettiva, riduce al minimo le perdite di commutazione e conduzione, garantendo prestazioni e affidabilità migliori. Il suo valore nominale di energia a valanga e la conformità ecologica lo rendono una scelta robusta e sostenibile per le applicazioni moderne.
Riduce le perdite di commutazione e conduzione per prestazioni migliori
Offre una classificazione dell'energia a valanga per una maggiore durata
Garantisce una bassa cifra di merito per un design ottimizzato
Mantiene la conformità alla direttiva RoHS per gli standard ambientali
Struttura priva di alogeni per un utilizzo più sicuro
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.115 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHG110N65SF-GE3
- MOSFET Vishay 0.058 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP054N65E-GE3
- MOSFET Vishay 0.158 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP150N60E-GE3
- MOSFET Vishay 0.084 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP085N60EF-GE3
- MOSFET Vishay 0.078 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP074N65E-GE3
- MOSFET Vishay 0.19 Ω 3 Pin Foro passante SIHP24N80AEF-GE3
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.145 Ω JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.176 Ω JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP21N60EF-GE3