MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.058 Ω Miglioramento, 47 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP054N65E-GE3

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Codice RS:
279-9921
Codice costruttore:
SIHP054N65E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.058Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET di potenza serie E e il transistor in esso è realizzato in materiale noto come silicio.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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