MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.058 Ω Miglioramento, 47 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP054N65E-GE3

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Codice RS:
279-9921
Codice costruttore:
SIHP054N65E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.058Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIHP di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 47 A - SIHP054N65E-GE3


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo nei sistemi elettronici industriali. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è fornito in un contenitore TO‐220AB a foro passante per un montaggio robusto e un dissipatore di calore semplice in gruppi che richiedono una gestione di potenza significativa.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente continua di 47 A supporta il funzionamento con carichi pesanti • La bassa resistenza all'accensione di 0,058 Ω riduce le perdite di conduzione • La dissipazione di potenza di 312 W consente una gestione del calore sostanziale • La carica di gate tipica di 108 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile • La tolleranza del gate di 30 V garantisce la compatibilità con i driver gate standard

Applicazioni


• Adatto per la commutazione primaria SMPS in alimentatori ad alta tensione • Ideale per le fasi front-end dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per circuiti di correzione del fattore di potenza nelle apparecchiature di rete • Può essere utilizzato per gli stadi inverter nei sistemi di energia rinnovabile

Quale formato di montaggio è fornito per l'integrazione di circuito stampato e telaio?


Il dispositivo è fornito in un contenitore TO‐220AB a foro passante con tre pin, che consente l'attacco del dissipatore di calore con bullone e l'installazione convenzionale del circuito stampato saldato.

Come si comporta il dispositivo in ambienti ad alta temperatura?


È specificato per funzionare fino a 150 °C, consentendo l'uso in progetti a temperatura di giunzione elevata con una gestione termica appropriata.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo consentire durante la commutazione?


Con una carica di gate tipica di 108 nC, le dimensioni del driver gate devono tenere conto dell'energia di commutazione e della velocità di transizione per gestire le perdite di commutazione e le EMI.

Quali sono i limiti di funzionamento del dispositivo per la tensione di gate sicura?


La tensione massima ammissibile da gate a sorgente è di 30 V, pertanto i circuiti di azionamento del gate devono rimanere entro questo limite per evitare lo stress del dispositivo.

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