MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.157 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP155N60EF-GE3

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Codice RS:
279-9925
Codice costruttore:
SIHP155N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SIHP

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.157Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIHP di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 21 A - SIHP155N60EF-GE3


Questo MOSFET è un transistor ad alta tensione a canale N progettato per la commutazione di potenza in ambienti di controllo industriali ed elettronici. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento in un contenitore TO-220 a foro passante, fornendo una robusta gestione della potenza per le applicazioni che richiedono una tensione drain-source e una resistenza termica sostanziali.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 21 A supporta correnti di carico elevate
• La bassa Rds(on) di 0,157 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 179 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 38 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C è adatto per condizioni di temperatura estreme

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per i circuiti di azionamento dei motori nell'automazione industriale
• Utilizzato per l'elettronica di potenza in modalità commutata nel controllo dell'illuminazione
• Può essere utilizzato per gli stadi inverter nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato con sistemi di gestione termica in gruppi di alimentazione

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione affidabile?


La tolleranza del gate è massima di ±30 V, pertanto i driver del gate devono rispettare questo limite e fornire una corrente di azionamento sufficiente per caricare la carica tipica del gate di 38 nC per velocità di commutazione controllate.

Come deve essere organizzata la gestione termica per un funzionamento continuo?


Con una dissipazione di potenza massima di 179 W e montaggio TO-220, fissare il dispositivo a un dissipatore appropriato e garantire un flusso d'aria adeguato per mantenere le temperature di giunzione entro l'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C.

Quali sono i limiti elettrici che devono essere rispettati durante la progettazione?


Il transistor non deve essere sottoposto a tensioni di drenaggio-sorgente superiori a 600 V o a correnti di drenaggio continue superiori a 21 A per evitare di superare i valori nominali del dispositivo.

Quale contenitore e stile di montaggio utilizza il dispositivo per l'integrazione su circuito stampato o telaio?


È fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante con tre pin, che consente un montaggio sicuro del telaio e una semplice sostituzione nei progetti precedenti.

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