1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 0.176 Ω, 21 A 600 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP21N60EF-GE3
- Codice RS:
- 180-7768
- Codice costruttore:
- SIHP21N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7768
- Codice costruttore:
- SIHP21N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.176Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 227W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 84nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Larghezza | 10.52mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 6.71mm | |
| Lunghezza | 14.4mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.176Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 227W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 84nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Larghezza 10.52mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 6.71mm | ||
Lunghezza 14.4mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay SIHP21N60EF è un MOSFET di potenza serie EF a canale N con diodo body rapido avente tensione drain-source (Vds) di 600V e tensione gate-source (VGS) 30V. Ha un contenitore TO-220AB. Offre una resistenza RDS (drain-source) di 0,176 ohm a 10VGS. Massima corrente di drain 21A.
MOSFET a diodo rapido per corpo che utilizza la tecnologia serie E.
Trr, Qrr e IRRM ridotti
Bassa figura di merito (FOM): Ron x Qg
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