1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.145 Ω, 26 A 500 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3
- Codice RS:
- 180-7790
- Codice costruttore:
- SIHP25N50E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,014 € | 15,07 € |
| 50 - 120 | 2,772 € | 13,86 € |
| 125 - 245 | 2,558 € | 12,79 € |
| 250 - 495 | 2,412 € | 12,06 € |
| 500 + | 2,258 € | 11,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7790
- Codice costruttore:
- SIHP25N50E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.145Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 86nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 10.52 mm | |
| Altezza | 6.71mm | |
| Lunghezza | 14.4mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.145Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 86nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 10.52 mm | ||
Altezza 6.71mm | ||
Lunghezza 14.4mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET TO-220AB-3 a canale N per montaggio a foro passante Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 500V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 145mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 250W e corrente di drain continua di 26A. Ha una tensione di pilotaggio di 10V. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• bassa figura di merito (FOM): Ron x Qg
Bassa carica di gate • (Qg)
Bassa capacità di ingresso • (Ciss)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• perdite di conduzione e commutazione ridotte
Applications
• topologie hard switched
• alimentatori PC Silver box/ATX
• alimentatori con correzione del fattore di potenza (PFC)
• alimentatori switching (SMPS)
• illuminazione a LED a due stadi
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS testato
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