1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 0.145 Ω, 26 A 500 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7790
Codice costruttore:
SIHP25N50E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

E

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.145Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

14.4mm

Larghezza

10.52mm

Altezza

6.71mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione drain‐source 500 V, corrente di drenaggio continua 26 A - SIHP25N50E-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor singolo a canale N in un contenitore TO-220AB progettato per attività di commutazione e conversione di potenza ad alta tensione. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione della potenza significativa e robuste caratteristiche di azionamento del gate.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio 500 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 26 A per una gestione del carico prolungata
• Dissipazione di potenza massima di 250 W che consente un funzionamento ad alta potenza
• Rds(on) di 0.145 Ω per ridurre le perdite di conduzione sotto carico
• Carica gate tipica di 86 nC che supporta un comportamento di commutazione prevedibile
• 30 V Vgs massimo che consente tensioni di azionamento gate comuni

Applicazioni


• Adatto per alimentatori industriali e convertitori
• Ideale per le topologie di potenza a commutazione negli inverter
• Utilizzato per circuiti di azionamento del motore che richiedono una capacità di 500 V
• Può essere utilizzato per relè ad alta tensione e commutazione di protezione
• Utilizzato con stadi di potenza discreti in ambienti ad alta temperatura

Entro quale intervallo di temperatura può operare?


Funziona a temperature comprese tra -55 °C e 150 °C, adattandosi agli avvii a freddo e alle condizioni operative elevate.

In che modo il pacchetto influisce sulla gestione termica?


Il formato TO-220AB consente il fissaggio a un dissipatore per una maggiore dissipazione termica e una migliore resistenza termica a stato stazionario.

Quali sono i limiti del gate drive da rispettare?


Mantenere la tensione da gate a sorgente entro ±30 V per evitare di superare le tolleranze di soglia del gate del dispositivo.

Il dispositivo è configurato per l'implementazione multi-chip?


La matrice contiene un singolo elemento per chip, pertanto la parallelizzazione richiede un'attenta progettazione della condivisione della corrente.

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