1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.145 Ω, 26 A 500 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3

Codice RS:: 180-7790
Codice costruttore:: SIHP25N50E-GE3
Costruttore:: Vishay

1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.145 Ω, 26 A 500 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3

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Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	2,976 €	14,88 €
50 - 120	2,738 €	13,69 €
125 - 245	2,528 €	12,64 €
250 - 495	2,38 €	11,90 €
500 +	2,23 €	11,15 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 180-7790
Codice costruttore:: SIHP25N50E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	26A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	500V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	E
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.145Ω
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	86nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	250W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Singolo
	Altezza	6.71mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	10.52 mm
	Lunghezza	14.4mm
	Numero elementi per chip	1
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 26A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie E
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.145Ω
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 86nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 250W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Singolo
	Altezza 6.71mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 10.52 mm
	Lunghezza 14.4mm
	Numero elementi per chip 1
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET TO-220AB-3 a canale N per montaggio a foro passante Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 500V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 145mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 250W e corrente di drain continua di 26A. Ha una tensione di pilotaggio di 10V. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• bassa figura di merito (FOM): Ron x Qg

Bassa carica di gate • (Qg)

Bassa capacità di ingresso • (Ciss)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• perdite di conduzione e commutazione ridotte

Applications

• topologie hard switched

• alimentatori PC Silver box/ATX

• alimentatori con correzione del fattore di potenza (PFC)

• alimentatori switching (SMPS)

• illuminazione a LED a due stadi

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS testato