MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.8 Ω, 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB
- Codice RS:
- 180-8799
- Codice costruttore:
- IRL620PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8799
- Codice costruttore:
- IRL620PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.8Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±10 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Altezza | 6.48mm | |
| Lunghezza | 14.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Larghezza | 10.52 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.8Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±10 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Altezza 6.48mm | ||
Lunghezza 14.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Larghezza 10.52 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay IRL620 è un MOSFET di potenza a canale N con tensione drain-source (Vds) di 200V. La tensione gate-source (VGS) è 10V. Ha un contenitore TO-220AB. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,8ohm a 5VGS.
Valori nominali dinamici dV/dt
Valori a valanga ripetitivi
Stadio pilota livello logico
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