1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.32 Ω, 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB, Morsetto a vite IRFB17N50LPBF
- Codice RS:
- 180-8623
- Codice costruttore:
- IRFB17N50LPBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
5,80 €
(IVA esclusa)
7,08 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- Più 2 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
- Ultime 2 unità in spedizione dal 07 settembre 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,90 € | 5,80 € |
| 20 - 48 | 2,605 € | 5,21 € |
| 50 - 98 | 2,38 € | 4,76 € |
| 100 - 198 | 2,17 € | 4,34 € |
| 200 + | 2,035 € | 4,07 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8623
- Codice costruttore:
- IRFB17N50LPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.32Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 220W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 130nC | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.32Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 220W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 130nC | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay IRFB17N50L è un MOSFET di potenza a canale N con tensione drain-source (Vds) di 500V. La tensione gate-source (VGS) è 30V. Ha un contenitore TO-220AB. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,28 ohm a 10VGS. Massima corrente di drain 16A.
La bassa carica di gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento
Maggiore robustezza di gate, valanga e DV/dt dinamico
Capacità completamente caratterizzata, tensione e corrente a valanga
Recupero con trr basso e soft diode
Link consigliati
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.32 Ω JEDEC TO-220AB, Morsetto a vite IRFB17N50LPBF
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.145 Ω JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3
- MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.8 Ω JEDEC TO-220AB IRL620PBF
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.14 Ω JEDEC TO-220AB IRF9Z30PBF
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.28 Ω JEDEC TO-220AB IRF9Z24PBF
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.028 Ω JEDEC TO-220AB IRFZ44RPBF
- 1 MOSFET Vishay Singolo 450 mΩ JEDEC TO-220AB 3 Pin
- 1 MOSFET Infineon Singolo JEDEC TO-220AB Miglioramento, 3 Pin AUIRL3705Z