1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.14 Ω, 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB
- Codice RS:
- 180-8845
- Codice costruttore:
- IRF9Z30PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8845
- Codice costruttore:
- IRF9Z30PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.14Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 74W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Lunghezza | 14.4mm | |
| Altezza | 6.48mm | |
| Larghezza | 10.52 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.14Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 74W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Lunghezza 14.4mm | ||
Altezza 6.48mm | ||
Larghezza 10.52 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-220AB a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 140mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 74W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Advanced Process Technology
Commutazione rapida •
• completamente disponibile
• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
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