1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.028 Ω, 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB IRLZ44PBF
- Codice RS:
- 180-8743
- Codice costruttore:
- IRLZ44PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8743
- Codice costruttore:
- IRLZ44PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.028Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 66nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Larghezza | 10.52mm | |
| Altezza | 6.48mm | |
| Lunghezza | 14.4mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.028Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 66nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Larghezza 10.52mm | ||
Altezza 6.48mm | ||
Lunghezza 14.4mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore a canale N, TO-220AB-3 è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-sorgente di 60 V e una tensione massima gate-sorgente di 10 V. Ha una resistenza drain-source di 28 mohm a una tensione gate-source di 5 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 150 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Valore nominale dinamico dV/dt
• Facilità di collegamento in parallelo
• Commutazione rapida
• Componente senza piombo (Pb)
• Azionamento gate a livello logico
• Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e 175 °C
• RDS (on) specificato a VGS = 4 V e 5 V
• Requisiti di azionamento semplici
Applicazioni
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
• Alimentatore in modalità switching (SMPS)
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