MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.0093 Ω, 90 A 60 V, JEDEC TO-220AB
- Codice RS:
- 180-7422
- Codice costruttore:
- SUP90P06-09L-E3
- Costruttore:
- Vishay
Non disponibile
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- Codice RS:
- 180-7422
- Codice costruttore:
- SUP90P06-09L-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0093Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 240nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 14.02mm | |
| Larghezza | 10.51 mm | |
| Altezza | 6.48mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0093Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 240nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 14.02mm | ||
Larghezza 10.51 mm | ||
Altezza 6.48mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-220-3 a canale P, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 7,4 mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 250W. È dotato di un'applicazione nell'interruttore primario c.c./c.c. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
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