1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.32 Ω, 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB, Morsetto a vite
- Codice RS:
- 180-8312
- Codice costruttore:
- IRFB17N50LPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8312
- Codice costruttore:
- IRFB17N50LPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.32Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 130nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 220W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.32Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 130nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 220W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay IRFB17N50L è un MOSFET di potenza a canale N con tensione drain-source (Vds) di 500V. La tensione gate-source (VGS) è 30V. Ha un contenitore TO-220AB. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,28 ohm a 10VGS. Massima corrente di drain 16A.
La bassa carica di gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento
Maggiore robustezza di gate, valanga e DV/dt dinamico
Capacità completamente caratterizzata, tensione e corrente a valanga
Recupero con trr basso e soft diode
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