1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 1.2 Ω, 6.2 A 600 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin

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Codice RS:
180-8656
Codice costruttore:
IRFBC40APBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

10.52 mm

Altezza

6.71mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

14.4mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-220-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 600V e una tensione gate-source massima di 30V. È dotato di una resistenza drain-source di 1,20 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 125W. Il prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Coss effettivo specificato

Capacità completamente caratterizzata, tensione e corrente a valanga •

• cancello migliorato, effetto valanga e DV/dt dinamico

• componente senza piombo (Pb)

• la bassa carica di gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

Applications


• commutazione di potenza ad alta velocità

• alimentatore switching (SMPS)

• Alimentatori continui

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