1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 0.145 Ω, 26 A 500 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3
- Codice RS:
- 180-7350
- Codice costruttore:
- SIHP25N50E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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| 250 - 450 | 1,322 € | 66,10 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7350
- Codice costruttore:
- SIHP25N50E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.145Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 86nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 6.71mm | |
| Larghezza | 10.52mm | |
| Lunghezza | 14.4mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Serie E | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.145Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 86nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 6.71mm | ||
Larghezza 10.52mm | ||
Lunghezza 14.4mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione drain‐source 500 V, corrente di drenaggio continua 26 A - SIHP25N50E-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor singolo a canale N in un contenitore TO-220AB progettato per attività di commutazione e conversione di potenza ad alta tensione. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione della potenza significativa e robuste caratteristiche di azionamento del gate.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio 500 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 26 A per una gestione del carico prolungata
• Dissipazione di potenza massima di 250 W che consente un funzionamento ad alta potenza
• Rds(on) di 0.145 Ω per ridurre le perdite di conduzione sotto carico
• Carica gate tipica di 86 nC che supporta un comportamento di commutazione prevedibile
• 30 V Vgs massimo che consente tensioni di azionamento gate comuni
• Corrente di drenaggio continua di 26 A per una gestione del carico prolungata
• Dissipazione di potenza massima di 250 W che consente un funzionamento ad alta potenza
• Rds(on) di 0.145 Ω per ridurre le perdite di conduzione sotto carico
• Carica gate tipica di 86 nC che supporta un comportamento di commutazione prevedibile
• 30 V Vgs massimo che consente tensioni di azionamento gate comuni
Applicazioni
• Adatto per alimentatori industriali e convertitori
• Ideale per le topologie di potenza a commutazione negli inverter
• Utilizzato per circuiti di azionamento del motore che richiedono una capacità di 500 V
• Può essere utilizzato per relè ad alta tensione e commutazione di protezione
• Utilizzato con stadi di potenza discreti in ambienti ad alta temperatura
• Ideale per le topologie di potenza a commutazione negli inverter
• Utilizzato per circuiti di azionamento del motore che richiedono una capacità di 500 V
• Può essere utilizzato per relè ad alta tensione e commutazione di protezione
• Utilizzato con stadi di potenza discreti in ambienti ad alta temperatura
Entro quale intervallo di temperatura può operare?
Funziona a temperature comprese tra -55 °C e 150 °C, adattandosi agli avvii a freddo e alle condizioni operative elevate.
In che modo il pacchetto influisce sulla gestione termica?
Il formato TO-220AB consente il fissaggio a un dissipatore per una maggiore dissipazione termica e una migliore resistenza termica a stato stazionario.
Quali sono i limiti del gate drive da rispettare?
Mantenere la tensione da gate a sorgente entro ±30 V per evitare di superare le tolleranze di soglia del gate del dispositivo.
Il dispositivo è configurato per l'implementazione multi-chip?
La matrice contiene un singolo elemento per chip, pertanto la parallelizzazione richiede un'attenta progettazione della condivisione della corrente.
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