MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP150N60E-GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per le attività di conversione di potenza e controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor in modalità di miglioramento alloggiato in un contenitore TO-220AB a foro passante, progettato per installazioni in cui è richiesta una gestione termica robusta e un montaggio utilizzabile. Il componente supporta il funzionamento a temperature elevate ed è progettato per l'uso in circuiti che richiedono una commutazione controllata a gate ad alte tensioni di drain-source.

• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 22 A per una gestione del carico sostanziale • Rds(on) di 0,158 Ω per ridurre le perdite di conduzione durante l'accensione • Dissipazione di potenza di 179 W che consente una maggiore capacità di carico termico • Carica gate tipica di 36 nC per un comportamento di commutazione prevedibile • Tolleranza gate ±30 V che consente margini gate-drive flessibili

• Adatto per gli stadi di inverter per motori industriali che richiedono Vds elevati • Ideale per alimentatori di commutazione che gestiscono elevate tensioni di ingresso • Utilizzato per la commutazione di potenza front-end nei moduli di azionamento per l'automazione • Può essere utilizzato per la sostituzione dei relè nei circuiti di controllo ad alta tensione • Utilizzato con gruppi di alimentazione discreti che richiedono il montaggio a foro passante

È classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'implementazione in ambienti con avviamento a freddo e alte temperature.

Il formato a foro passante TO-220AB fornisce una piastra posteriore in metallo per il fissaggio diretto ai dissipatori e un semplice montaggio a pannello per un'efficace dissipazione termica.

Una carica di gate tipica di 36 nC determina l'energia di azionamento richiesta per transizione e influisce sulle perdite di commutazione e sulle dimensioni del driver gate.

La tensione massima specificata gate-source è di 30 V, che definisce l'ampiezza sicura per le forme d'onda gate-drive per evitare lo stress del dispositivo.