MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP150N60E-GE3

Codice RS:: 268-8320
Codice costruttore:: SIHP150N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP150N60E-GE3

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Codice RS:: 268-8320
Codice costruttore:: SIHP150N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	SIHP
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.158Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	179W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	36nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie SIHP
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.158Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 179W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHP150N60E-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SIHP Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 22 A - SIHP150N60E-GE3

Questo MOSFET a canale n è un transistor di potenza ad alta tensione progettato per attività di commutazione e amplificazione in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in modo affidabile in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante adatto per il montaggio su scheda convenzionale. Il dispositivo è conforme alle direttive RoHS ed è destinato ad applicazioni che richiedono una gestione di tensione consistente e una capacità di corrente moderata.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente l'uso nella commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 22 A supporta un flusso di carico sostenuto
• Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La carica di gate tipica di 36 nC consente di ottenere profili di commutazione prevedibili
• La dissipazione di potenza massima di 179 W gestisce un carico termico significativo

Applicazioni

• Adatto per la commutazione primaria SMPS ad alta tensione
• Ideale per gli stadi inverter dei motori industriali
• Utilizzato con alimentatori nella rettifica delle telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per i front-end degli inverter fotovoltaici

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante la progettazione dell'azionamento?

Il gate non deve essere azionato oltre ±30 V rispetto alla sorgente per evitare lo stress da ossido di gate e garantire l'affidabilità a lungo termine.

In che modo la gestione termica influisce sulla gestione pratica dell'alimentazione?

La potenza nominale di dissipazione di 179 W richiede un dissipatore di calore adeguato e un'interfaccia termica per mantenere la temperatura di giunzione al di sotto dei 150 °C in caso di carico continuo.

Quale intervallo di temperatura ambiente possono aspettarsi i sistemi intorno a questo dispositivo?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con freddo estremo e condizioni termiche elevate se montato correttamente.

In che modo la modalità del canale del dispositivo influisce sul comportamento del circuito?

Essendo un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, rimane disattivato a polarizzazione gate zero e richiede un azionamento gate positivo per condurre, semplificando il controllo nelle topologie low-side e high-side.