MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP150N60E-GE3
- Codice RS:
- 268-8320
- Codice costruttore:
- SIHP150N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 268-8320
- Codice costruttore:
- SIHP150N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.158Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.158Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie SIHP Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 22 A - SIHP150N60E-GE3
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per le attività di conversione di potenza e controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor in modalità di miglioramento alloggiato in un contenitore TO-220AB a foro passante, progettato per installazioni in cui è richiesta una gestione termica robusta e un montaggio utilizzabile. Il componente supporta il funzionamento a temperature elevate ed è progettato per l'uso in circuiti che richiedono una commutazione controllata a gate ad alte tensioni di drain-source.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 22 A per una gestione del carico sostanziale • Rds(on) di 0,158 Ω per ridurre le perdite di conduzione durante l'accensione • Dissipazione di potenza di 179 W che consente una maggiore capacità di carico termico • Carica gate tipica di 36 nC per un comportamento di commutazione prevedibile • Tolleranza gate ±30 V che consente margini gate-drive flessibili
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di inverter per motori industriali che richiedono Vds elevati • Ideale per alimentatori di commutazione che gestiscono elevate tensioni di ingresso • Utilizzato per la commutazione di potenza front-end nei moduli di azionamento per l'automazione • Può essere utilizzato per la sostituzione dei relè nei circuiti di controllo ad alta tensione • Utilizzato con gruppi di alimentazione discreti che richiedono il montaggio a foro passante
Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
È classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'implementazione in ambienti con avviamento a freddo e alte temperature.
Quali considerazioni sull'imballaggio influenzano il dissipatore e il montaggio?
Il formato a foro passante TO-220AB fornisce una piastra posteriore in metallo per il fissaggio diretto ai dissipatori e un semplice montaggio a pannello per un'efficace dissipazione termica.
In che modo la carica del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?
Una carica di gate tipica di 36 nC determina l'energia di azionamento richiesta per transizione e influisce sulle perdite di commutazione e sulle dimensioni del driver gate.
Ci sono limiti alla tensione di azionamento del gate che devo osservare?
La tensione massima specificata gate-source è di 30 V, che definisce l'ampiezza sicura per le forme d'onda gate-drive per evitare lo stress del dispositivo.
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