MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.078 Ω Miglioramento, 35 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP074N65E-GE3

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Codice RS:
279-9923
Codice costruttore:
SIHP074N65E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.078Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIHP di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 35 A - SIHP074N65E-GE3


Questo MOSFET di potenziamento a canale n è progettato per commutare e controllare circuiti ad alta tensione e corrente elevata in sistemi industriali ed elettronici. Adatto al montaggio a foro passante, fornisce una soluzione compatta per semiconduttori di potenza per stadi di potenza discreti in cui sono richieste una robusta gestione della tensione e una robusta resistenza termica. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma ambientale ed è progettato per l'uso in applicazioni che richiedono temperature d'esercizio elevate e una notevole capacità di corrente continua.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione di drain di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 35 A supporta un'erogazione di potenza significativa
• La resistenza di accensione di 0,078 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione
• la dissipazione di potenza di 250 W facilita la gestione di carichi più elevati
• La carica gate tipica 8 nC consente una risposta di commutazione più rapida
• La tolleranza del gate di 30 V protegge il gate dai livelli di azionamento comuni

Applicazioni


• Adatto per i front-end dell'azionamento del motore ad alta tensione
• Ideale per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per gli stadi inverter nei sistemi di conversione di potenza
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico elettronici nei pannelli di automazione
• Adatto per soppressori di sovratensioni e implementazioni di rete snubber

Quale metodo di montaggio richiede per l'integrazione su circuito stampato?


È fornito in un contenitore TO‐220AB a foro passante che consente un fissaggio meccanico sicuro e un dissipatore di calore efficiente a un telaio o a una piastra di dissipatore.

Come si comporta in ambienti a temperatura elevata?


È classificato per il funzionamento fino a 150 °C che supporta i margini termici in gruppi di potenza densamente confezionati.

Qual è la richiesta tipica di azionamento del gate per il design della commutazione?


Aspettatevi una carica di gate tipica di 8 nC a livelli standard di gate‐driver, informando i calcoli di corrente gate‐driver e di energia di commutazione.

Quale standard ambientale o normativo si applica ai suoi materiali?


Il dispositivo soddisfa i requisiti RoHS relativi alle sostanze soggette a restrizioni nei materiali componenti.

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