MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.078 Ω Miglioramento, 35 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP074N65E-GE3
- Codice RS:
- 279-9924
- Codice costruttore:
- SIHP074N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Specifiche
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.078Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.078Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SIHP di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 35 A - SIHP074N65E-GE3
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza nell'elettronica industriale. Supporta il montaggio a foro passante in un contenitore TO-220AB ed è adatto per applicazioni che richiedono una robusta gestione termica e protezione del gate in un'ampia gamma ambientale.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 35 A per un'erogazione di potenza sostenuta
• RDS(on) di 0,078 Ω che garantisce basse perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 250 W per prestazioni termiche elevate
• Carica gate tipica 8 nC per una commutazione gate drive efficiente
• Protezione massima gate-source di 30 V per limitare la sollecitazione del gate
• Corrente di drenaggio continua di 35 A per un'erogazione di potenza sostenuta
• RDS(on) di 0,078 Ω che garantisce basse perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 250 W per prestazioni termiche elevate
• Carica gate tipica 8 nC per una commutazione gate drive efficiente
• Protezione massima gate-source di 30 V per limitare la sollecitazione del gate
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per gli stadi inverter dei motori industriali
• Utilizzato per circuiti di condizionamento dell'energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per la commutazione rigida nei convertitori industriali
• Adatto per la sostituzione dei fori passanti nei progetti precedenti
• Ideale per gli stadi inverter dei motori industriali
• Utilizzato per circuiti di condizionamento dell'energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per la commutazione rigida nei convertitori industriali
• Adatto per la sostituzione dei fori passanti nei progetti precedenti
Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?
Funziona in modo affidabile in un ampio intervallo termico da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in condizioni ambientali difficili.
In che modo il contenitore influisce sul raffreddamento e sul montaggio?
Il pacchetto a foro passante TO-220AB fornisce una linguetta in metallo per il dissipatore di calore e un semplice attacco per circuito stampato o telaio per una migliore gestione termica.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per le prestazioni di commutazione?
Progettare i driver gate per fornire una corrente sufficiente per una carica gate di 8 nC per ottenere le velocità di commutazione desiderate rispettando il limite gate-sorgente di 30 V.
Ci sono specifiche caratteristiche di conduzione in avanti da notare?
Il dispositivo presenta una tensione diretta di 1,2 V sotto conduzione, che deve essere presa in considerazione nei calcoli di perdita e termici.
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