MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.078 Ω Miglioramento, 35 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP074N65E-GE3
- Codice RS:
- 279-9924
- Codice costruttore:
- SIHP074N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 279-9924
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- SIHP074N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.078Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.078Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SIHP di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 35 A - SIHP074N65E-GE3
Questo MOSFET di potenziamento a canale n è progettato per commutare e controllare circuiti ad alta tensione e corrente elevata in sistemi industriali ed elettronici. Adatto al montaggio a foro passante, fornisce una soluzione compatta per semiconduttori di potenza per stadi di potenza discreti in cui sono richieste una robusta gestione della tensione e una robusta resistenza termica. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma ambientale ed è progettato per l'uso in applicazioni che richiedono temperature d'esercizio elevate e una notevole capacità di corrente continua.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drain di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 35 A supporta un'erogazione di potenza significativa
• La resistenza di accensione di 0,078 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione
• la dissipazione di potenza di 250 W facilita la gestione di carichi più elevati
• La carica gate tipica 8 nC consente una risposta di commutazione più rapida
• La tolleranza del gate di 30 V protegge il gate dai livelli di azionamento comuni
• La corrente continua di 35 A supporta un'erogazione di potenza significativa
• La resistenza di accensione di 0,078 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione
• la dissipazione di potenza di 250 W facilita la gestione di carichi più elevati
• La carica gate tipica 8 nC consente una risposta di commutazione più rapida
• La tolleranza del gate di 30 V protegge il gate dai livelli di azionamento comuni
Applicazioni
• Adatto per i front-end dell'azionamento del motore ad alta tensione
• Ideale per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per gli stadi inverter nei sistemi di conversione di potenza
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico elettronici nei pannelli di automazione
• Adatto per soppressori di sovratensioni e implementazioni di rete snubber
• Ideale per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per gli stadi inverter nei sistemi di conversione di potenza
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico elettronici nei pannelli di automazione
• Adatto per soppressori di sovratensioni e implementazioni di rete snubber
Quale metodo di montaggio richiede per l'integrazione su circuito stampato?
È fornito in un contenitore TO‐220AB a foro passante che consente un fissaggio meccanico sicuro e un dissipatore di calore efficiente a un telaio o a una piastra di dissipatore.
Come si comporta in ambienti a temperatura elevata?
È classificato per il funzionamento fino a 150 °C che supporta i margini termici in gruppi di potenza densamente confezionati.
Qual è la richiesta tipica di azionamento del gate per il design della commutazione?
Aspettatevi una carica di gate tipica di 8 nC a livelli standard di gate‐driver, informando i calcoli di corrente gate‐driver e di energia di commutazione.
Quale standard ambientale o normativo si applica ai suoi materiali?
Il dispositivo soddisfa i requisiti RoHS relativi alle sostanze soggette a restrizioni nei materiali componenti.
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