MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 193 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Codice RS:
200-6818
Codice costruttore:
SIHP186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

14.4mm

Lunghezza

10.52mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 18 A - SIHP186N60EF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione in modalità di potenziamento progettato per attività di commutazione e conversione di potenza in gruppi a foro passante. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è costruito per soddisfare le restrizioni ambientali RoHS, il che lo rende adatto per contesti termici e normativi impegnativi in cui è richiesto un robusto dispositivo di commutazione a 650 V.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua da 18 A supporta una gestione del carico significativa
• L'Rds(on) di 193 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 156 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica gate di 32 nC facilita un controllo di commutazione efficiente
• La tolleranza del gate di 30 V consente la compatibilità con i driver comuni

Applicazioni


• Ideale per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori
• Adatto per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con circuiti front-end inverter che richiedono dispositivi da 650 V
• Può essere utilizzato per relè a stato solido che gestisce correnti medie
• Adatto per la correzione del fattore di potenza e per i sistemi soggetti a EMI

Quale approccio di imballaggio e montaggio richiede?


Viene fornito in un contenitore TO-220AB configurato per il montaggio a foro passante, consentendo un dissipatore di calore e un fissaggio a pannello semplici.

Come si comporta a temperature estreme?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica senza ridurre la classe di tensione specificata.

Quali considerazioni di gate driving sono necessarie?


La tensione nominale massima gate-source è di 30 V e la carica totale gate tipica è di 32 nC, pertanto i driver gate devono fornire una corrente di picco sufficiente per velocità di commutazione mirate senza superare 30 V.

È adatto all'elettronica automobilistica?


Non è classificato secondo gli standard automobilistici

La selezione deve tenere conto delle qualifiche specifiche del settore in cui è richiesta l'approvazione del livello del veicolo.

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