MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 193 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

26,76 €

(IVA esclusa)

32,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 990 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 102,676 €26,76 €
20 - 402,515 €25,15 €
50 - 902,275 €22,75 €
100 - 2402,141 €21,41 €
250 +2,008 €20,08 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6819
Codice costruttore:
SIHP186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

14.4mm

Lunghezza

10.52mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHP186N60EF-GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Link consigliati