MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 193 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

27,56 €

(IVA esclusa)

33,62 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 940 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 102,756 €27,56 €
20 - 402,591 €25,91 €
50 - 902,343 €23,43 €
100 - 2402,205 €22,05 €
250 +2,067 €20,67 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6819
Codice costruttore:
SIHP186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.65mm

Altezza

14.4mm

Lunghezza

10.52mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 18 A - SIHP186N60EF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione in modalità di potenziamento progettato per attività di commutazione e conversione di potenza in gruppi a foro passante. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è costruito per soddisfare le restrizioni ambientali RoHS, il che lo rende adatto per contesti termici e normativi impegnativi in cui è richiesto un robusto dispositivo di commutazione a 650 V.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua da 18 A supporta una gestione del carico significativa
• L'Rds(on) di 193 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 156 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica gate di 32 nC facilita un controllo di commutazione efficiente
• La tolleranza del gate di 30 V consente la compatibilità con i driver comuni

Applicazioni


• Ideale per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori
• Adatto per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con circuiti front-end inverter che richiedono dispositivi da 650 V
• Può essere utilizzato per relè a stato solido che gestisce correnti medie
• Adatto per la correzione del fattore di potenza e per i sistemi soggetti a EMI

Quale approccio di imballaggio e montaggio richiede?


Viene fornito in un contenitore TO-220AB configurato per il montaggio a foro passante, consentendo un dissipatore di calore e un fissaggio a pannello semplici.

Come si comporta a temperature estreme?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica senza ridurre la classe di tensione specificata.

Quali considerazioni di gate driving sono necessarie?


La tensione nominale massima gate-source è di 30 V e la carica totale gate tipica è di 32 nC, pertanto i driver gate devono fornire una corrente di picco sufficiente per velocità di commutazione mirate senza superare 30 V.

È adatto all'elettronica automobilistica?


Non è classificato secondo gli standard automobilistici

La selezione deve tenere conto delle qualifiche specifiche del settore in cui è richiesta l'approvazione del livello del veicolo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.