MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 193 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
200-6819
Codice costruttore:
SIHP186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.52mm

Altezza

14.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHP186N60EF-GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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