MOSFET Vishay, canale N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SIHP125N60EF-GE3

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Codice RS:
200-6816
Codice costruttore:
SIHP125N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHP125N60EF-GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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