MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SIHP125N60EF-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 50 unità*

189,10 €

(IVA esclusa)

230,70 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
50 - 503,782 €189,10 €
100 - 2003,555 €177,75 €
250 +3,215 €160,75 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6816
Codice costruttore:
SIHP125N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHP125N60EF-GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Link consigliati