MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 700 mΩ Miglioramento, 6.4 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 200-6820
- Codice costruttore:
- SIHP690N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 200-6820
- Codice costruttore:
- SIHP690N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie E | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 6,4 A - SIHP690N60E-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e gestione dell'alimentazione nell'elettronica industriale. È fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante adatto per dissipatori di calore ed è destinato agli ingegneri che lavorano su circuiti di controllo, conversione e protezione in cui sono richieste una robusta resistenza alla tensione e un montaggio semplice.
Caratteristiche e vantaggi:
• 650 V Vds per capacità di commutazione ad alta tensione • corrente di drenaggio continua di 6,4 A che consente la gestione di carichi moderati • Rds(on) 700 mΩ per perdite di conduzione prevedibili • Carica gate tipica 12 nC per un'energia di commutazione gestibile • Dissipazione di potenza di 62,5 W per supportare la progettazione termica • Temperatura di giunzione massima di 150 °C per il funzionamento a temperatura elevata
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione • Ideale per i circuiti gate-stage dell'azionamento del motore • Utilizzato per la commutazione di protezione dell'inverter industriale • Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza • Adatto per circuiti di pilotaggio di relè e contattori ad alta tensione
Qual è l'intervallo di tensione di gate consigliato per l'azionamento di questo dispositivo?
Il dispositivo accetta tensioni di gate fino a 30 V, pertanto i driver di gate devono essere scelti per rimanere entro questo limite e fornire un azionamento adeguato per la carica di gate specificata.
Come deve essere affrontata la gestione termica durante il montaggio?
Utilizzare un dissipatore compatibile sulla linguetta TO-220AB e garantire un flusso d'aria sufficiente
per la dissipazione nominale di 62,5 W durante il calcolo dell'aumento di temperatura.
Quali condizioni ambientali sono accettabili per il funzionamento?
Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C, mentre il valore nominale di giunzione massimo è di 150 °C, pertanto i progetti devono gestire la resistenza termica della giunzione all'ambiente per rimanere entro questi limiti.
Esistono considerazioni per le perdite di commutazione ad alta tensione?
Con una carica di gate di 12 nC e un Rds(on) di 700 mΩ, i progettisti devono bilanciare la velocità dell'azionamento del gate contro la perdita di commutazione, in particolare nelle applicazioni che commutano frequentemente a Vds elevati.
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