MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 88 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 200-6794
- Codice costruttore:
- SiHP105N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 88mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.65mm | |
| Lunghezza | 10.52mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 14.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 88mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.65mm | ||
Lunghezza 10.52mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 14.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 29 A - SiHP105N60EF-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per ruoli impegnativi di conversione di potenza e controllo nei sistemi industriali ed elettronici. Si tratta di un transistor a canale N in modalità di potenziamento fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante, progettato per gestire tensioni elevate e correnti sostenute mentre funziona in un'ampia gamma di temperature.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La capacità di scarico continuo di 29 A supporta correnti di carico consistenti
• La dissipazione massima di 208 W consente una gestione ad alta potenza
• Rds(on) di 88 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione in condizioni nominali
• La carica gate tipica di 53 nC ottimizza i requisiti di energia di commutazione e azionamento
• La tolleranza del gate di 30 V consente margini di azionamento gate robusti
• La capacità di scarico continuo di 29 A supporta correnti di carico consistenti
• La dissipazione massima di 208 W consente una gestione ad alta potenza
• Rds(on) di 88 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione in condizioni nominali
• La carica gate tipica di 53 nC ottimizza i requisiti di energia di commutazione e azionamento
• La tolleranza del gate di 30 V consente margini di azionamento gate robusti
Applicazioni
• Adatto per le fasi di commutazione sul lato primario SMPS
• Ideale per sezioni di inverter per azionamento di motori industriali
• Utilizzato per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori
• Può essere utilizzato per apparecchiature di prova di carichi elettronici e di potenza
• Utilizzato con topologie di interruttori discreti nella correzione del fattore di potenza
• Ideale per sezioni di inverter per azionamento di motori industriali
• Utilizzato per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori
• Può essere utilizzato per apparecchiature di prova di carichi elettronici e di potenza
• Utilizzato con topologie di interruttori discreti nella correzione del fattore di potenza
Quali estremi termici può sopportare durante il funzionamento?
Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso sia in ambienti con avviamento a freddo che in installazioni a temperatura elevata.
Come viene montato e integrato in un circuito stampato?
Utilizza un contenitore TO-220AB a foro passante con tre pin e una linguetta di montaggio per il dissipatore, consentendo un fissaggio diretto della scheda e una gestione termica tramite un dissipatore fissato alla linguetta.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?
La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 30 V
le tensioni dell'azionamento del gate devono essere mantenute entro questo limite e corrispondere alla carica tipica del gate di 53 nC per garantire una commutazione efficiente senza sovratensione del gate.
Quale caratteristica di tensione diretta è rilevante durante la conduzione?
La tensione diretta è di 1,2 V, che fornisce informazioni sui calcoli della perdita di conduzione nei percorsi di corrente a bassa tensione e sulle valutazioni delle prestazioni del corpo-diodo.
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