MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 88 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 200-6795
- Codice costruttore:
- SiHP105N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 200-6795
- Codice costruttore:
- SiHP105N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 88mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.52mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4.65mm | |
| Altezza | 14.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 88mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.52mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4.65mm | ||
Altezza 14.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 29 A - SiHP105N60EF-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione di potenza in sistemi industriali ed elettronici. È progettato per il montaggio a foro passante in applicazioni che richiedono una notevole tensione di blocco, una capacità di corrente costante e un robusto margine termico, offrendo una soluzione pratica per circuiti ad alta tensione.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 650 V consente l'uso in sistemi di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 29 A supporta correnti di carico sostanziali
• La resistenza di accensione di 88 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 53 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• La capacità di dissipazione di potenza di 208 W migliora la gestione termica
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera giunzioni elevate
• La corrente di drenaggio continua di 29 A supporta correnti di carico sostanziali
• La resistenza di accensione di 88 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 53 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• La capacità di dissipazione di potenza di 208 W migliora la gestione termica
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera giunzioni elevate
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per amplificatori di potenza audio che richiedono un elevato margine Vds
• Può essere utilizzato per gli interruttori front-end degli inverter nei macchinari
• Utilizzato con driver gate a livello discreto nei sistemi di automazione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per amplificatori di potenza audio che richiedono un elevato margine Vds
• Può essere utilizzato per gli interruttori front-end degli inverter nei macchinari
• Utilizzato con driver gate a livello discreto nei sistemi di automazione
Quali sono i limiti dell'azionamento del gate da rispettare per un funzionamento affidabile?
Il dispositivo tollera tensioni gate-source fino a 30 V
rimanere entro questo limite per evitare di degradare l'isolamento del gate e garantire il comportamento di commutazione previsto.
Come deve essere approcciata la gestione termica su un layout a fori passanti?
Utilizzare un dissipatore con classificazione appropriata collegato alla linguetta del contenitore TO-220AB e garantire un flusso d'aria sufficiente per mantenere le temperature di giunzione al di sotto dei 150 °C massimi sotto la dissipazione prevista.
Quali compromessi di commutazione derivano dal valore tipico di carica del gate?
Una carica di gate a 53 nC bilancia la velocità di commutazione e la richiesta di driver
i driver devono fornire una corrente di picco sufficiente per ottenere i tempi di salita e discesa desiderati senza eccessive perdite di commutazione.
Questo componente può essere montato su assemblaggi precedenti che richiedono componenti discreti?
Sì, il suo formato a foro passante e la configurazione a tre pin sono compatibili con i progetti di schede tradizionali e i processi di assemblaggio manuale.
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