MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 88 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 200-6795
- Codice costruttore:
- SiHP105N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 200-6795
- Codice costruttore:
- SiHP105N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 88mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.65 mm | |
| Altezza | 14.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.52mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 88mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.65 mm | ||
Altezza 14.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.52mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il Vishay SiHP105N60EF-GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.
Tecnologia della serie e di 4th generazione
Bassa figura di merito
Bassa capacità effettiva
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)