MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 102 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHA105N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7202
Codice costruttore:
SIHA105N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

SiHA105N60EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

102mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.7mm

Altezza

13.8mm

Lunghezza

10.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er)

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