MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
145-1911
Codice costruttore:
SIHF30N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

E

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

16.12mm

Lunghezza

10.63mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor


I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS).

Caratteristiche


Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Bassa resistenza (RDS(on))

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Commutazione rapida

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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