Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SIHG30N60E-GE3

Codice RS:: 145-2157
Codice costruttore:: SIHG30N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SIHG30N60E-GE3

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 25 unità*

106,80 €

(IVA esclusa)

130,30 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 450 unità in spedizione dal 31 agosto 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per Tubo*
25 - 25	4,272 €	106,80 €
50 - 100	4,186 €	104,65 €
125 +	3,973 €	99,33 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 145-2157
Codice costruttore:: SIHG30N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	29A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	TO-247
	Serie	E
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	125mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	85nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	250W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5.31mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	15.87mm
	Altezza	20.82mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 29A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package TO-247
	Serie E
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 85nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 250W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5.31mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 15.87mm
	Altezza 20.82mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor

I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS).

Caratteristiche

Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Bassa resistenza (RDS(on))

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Commutazione rapida

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.