MOSFET Vishay, canale N 600 V, 102 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB105N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7205
Codice costruttore:
SIHB105N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SiHB105N60EF

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

102mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.88mm

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er)

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