MOSFET Vishay, canale N, 0,102 Ω, 29 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 204-7204
- Codice costruttore:
- SIHB105N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
1,786 €
(IVA esclusa)
2,179 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,786 € | 5.358,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 204-7204
- Codice costruttore:
- SIHB105N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er)
Bassa capacità effettiva (Co(er)
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 29 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Serie | SiHB105N60EF |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 0,102 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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