MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 182 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB22N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4976
Codice costruttore:
SIHB22N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHB22N60EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

182mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.41mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-38-846

MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo veloce.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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