MOSFET Vishay, canale N 600 V, 182 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB22N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4976
Codice Distrelec:
304-38-846
Codice costruttore:
SIHB22N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHB22N60EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

182mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.41mm

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo veloce.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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