MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB125N60EF-GE3

Codice RS:: 204-7246
Codice costruttore:: SIHB125N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB125N60EF-GE3

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Codice RS:: 204-7246
Codice costruttore:: SIHB125N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	EF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	125mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	179W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	31nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	4.06mm
	Lunghezza	14.61mm
	Larghezza	9.65mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package TO-263
	Serie EF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 179W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 31nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 4.06mm
	Lunghezza 14.61mm
	Larghezza 9.65mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHB125N60EF-GE3

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 25 A - SIHB125N60EF-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza nell'elettronica industriale. È progettato per l'uso a montaggio superficiale su gruppi di alimentazione in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e una tolleranza di temperatura elevata, supportando applicazioni che commutano tensioni elevate e correnti sostanziali nei sistemi di automazione ed elettrici.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 25 A supporta correnti di carico sostanziali • Rds(on) di 125 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico • La carica di gate tipica di 31 nC riduce al minimo i requisiti energetici dell'azionamento • La dissipazione di potenza di 179 W consente una gestione della potenza sostenuta • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C supporta ambienti ad alta temperatura

Applicazioni

• Adatto per gli stadi inverter ad alta tensione negli azionamenti industriali • Ideale per gli alimentatori che richiedono un'elevata tensione di rottura • Utilizzato con controller per motori che gestiscono decine di ampere • Può essere utilizzato per la sostituzione del relè nella commutazione a stato solido • Utilizzato per la conversione di potenza nelle apparecchiature di automazione

Quale intervallo di tensione del gate è sicuro per la commutazione del dispositivo?

Il dispositivo accetta tensioni di gate fino a 30 V, specificando il potenziale massimo consentito da gate a sorgente per un funzionamento affidabile.

In che modo la scelta del contenitore influisce sulle prestazioni termiche?

Il contenitore TO-263 offre un ampio tampone termico e cavi per la conduzione del calore, facilitando il trasferimento del calore al rame PCB e ai dissipatori per supportare la dissipazione di potenza nominale.

Quali sono i limiti ambientali per il funzionamento?

Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, definendo gli estremi ambientali e di giunzione consentiti per i margini di progettazione.

Quanti pin sono disponibili per considerazioni di layout del circuito stampato?

La parte utilizza tre pin, che determinano l'ingombro e le disposizioni di collegamento per il drenaggio, la sorgente e il gate sul circuito stampato.