MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB125N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7246
Codice costruttore:
SIHB125N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SiHB125N60EF

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.06mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

14.61mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

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