MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB125N60EF-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
204-7245
Codice costruttore:
SIHB125N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.06mm

Lunghezza

14.61mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 25 A - SIHB125N60EF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste robuste corrente di drenaggio e gestione termica. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per attività di commutazione e conversione di potenza nell'elettronica industriale e commerciale. Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-263 compatibile con l'assemblaggio a montaggio superficiale ed è conforme alle restrizioni RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 25 A supporta correnti di carico pesanti
• La dissipazione di potenza 179 W consente prestazioni termiche sostenute
• L'Rds(on) di 125 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica gate tipica di 31 nC consente una temporizzazione efficiente del gate drive
• Il Vgs massimo di 30 V fornisce un ampio margine di azionamento del gate per il controllo

Applicazioni


• Adatto per interruttori SMPS sul lato primario in alimentatori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di correzione del fattore di potenza che richiedono alta tensione
• Utilizzato con i frontali dell'azionamento del motore che gestiscono tensioni elevate
• Può essere utilizzato per gli interruttori a gamba inverter nei convertitori industriali
• Adatto per i driver LED che necessitano di una capacità di commutazione ad alta tensione

Quali temperature estreme può sopportare il dispositivo durante l'uso?


È classificato per il funzionamento da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.

Quanti collegamenti elettrici fornisce il pacchetto?


Il dispositivo utilizza una configurazione a tre pin adatta per le comuni topologie MOSFET e layout PCB.

Questo dispositivo è adatto per i programmi di qualificazione automobilistica?


Non è designato come componente standard per il settore automobilistico e non dispone di un'esplicita approvazione per il settore automobilistico.

Quale metodo di montaggio è necessario per la stabilità termica e meccanica?


È progettato per il montaggio superficiale in formato TO-263, che facilita il trasferimento del calore alle aree in rame del circuito stampato.

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