MOSFET Vishay, canale N 600 V, 168 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SiHB186N60EF-GE3

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Codice RS:
210-4973
Codice costruttore:
SiHB186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

EF

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

168mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.06mm

Lunghezza

14.61mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di contenitore del tipo D2PAK (TO-263).

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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