MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 168 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SiHA186N60EF-GE3

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Codice RS:
210-4962
Codice costruttore:
SiHA186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

EF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

168mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

28.1mm

Altezza

4.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione drain source 600 V, dissipazione di potenza massima 33 W - SiHA186N60EF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza commutata in cui sono richieste robuste prestazioni drain-to-source e un montaggio compatto a foro passante. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per progetti che richiedono una capacità di blocco di 600 V, azionato da tensioni di gate standard e montato su dispositivi di dissipazione convenzionali.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 600 V consente la commutazione ad alta tensione nelle fasi di potenza
• La corrente di drenaggio continua di 8.4 A supporta correnti di carico moderate
• Rds(on) di 168 mΩ riduce le perdite di conduzione alle correnti d'esercizio
• La dissipazione di potenza di 33 W consente un carico termico prolungato con un dissipatore
• La carica gate tipica di 21 nC fornisce una richiesta di energia di commutazione prevedibile
• L'azionamento gate massimo di 30 V consente tensioni di azionamento gate comuni

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per le estremità frontali dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per la conversione di potenza negli inverter a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per l'illuminazione del ballast e circuiti di controllo della lampada
• Adatto per assemblaggi a foro passante di laboratorio e prototipazione

Per quale intervallo di tensione di gate devo progettare nei circuiti di controllo?


Mantenere l'azionamento del gate entro un limite di ±30 V rispetto alla sorgente, con una commutazione tipica azionata da tensioni di gate fino a 30 V per garantire un funzionamento sicuro.

In che modo la gestione termica influisce sulla capacità di corrente continua?


La corrente di drenaggio continua dipende dalla resistenza termica all'ambiente

l'uso di un dissipatore per mantenere la temperatura di giunzione inferiore a 150 °C mantiene la capacità nominale di 8,4 A.

Questo dispositivo è adatto per i sistemi automobilistici che richiedono omologazioni specifiche?


Non è dotato di omologazioni di livello automobilistico, pertanto non deve essere specificato nei casi in cui i componenti certificati per il settore automobilistico sono obbligatori.

Quali considerazioni sulla commutazione derivano dal valore di carica del gate?


La carica del gate di 21 nC definisce la corrente del driver richiesta e i tempi di transizione di commutazione

dimensioni del driver di piano per bilanciare le perdite di commutazione e la velocità di transizione.

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