MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 68 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHF068N60EF-GE3

Codice RS:: 204-7248
Codice costruttore:: SIHF068N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 68 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHF068N60EF-GE3

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:: 204-7248
Codice costruttore:: SIHF068N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	EF
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	68mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	51nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	39W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	10mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	28.6mm
	Altezza	4.6mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package TO-220
	Serie EF
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 68mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 39W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 10mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 28.6mm
	Altezza 4.6mm
	Standard automobilistico No

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 16 A - SIHF068N60EF-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per l'uso in circuiti di conversione e controllo di potenza in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un montaggio a foro passante. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni che richiedono una corrente di drenaggio sostenuta e caratteristiche di gate-drive controllate, presentato in un contenitore a foro passante TO-220 per l'assemblaggio su scheda convenzionale.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione di drenaggio di 600 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 16 A per una gestione del carico prolungata
• Rds(on) di 68 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Carica gate tipica 51 nC per un controllo di commutazione prevedibile
• Dissipazione di potenza massima di 39 W per la pianificazione termica
• Tolleranza gate di ±30 V per adattarsi a diverse ampiezze di gate drive

Applicazioni

• Adatto per convertitori e inverter di potenza industriali
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Utilizzato per alimentatori che richiedono il montaggio a foro passante
• Può essere utilizzato per la commutazione di elementi nei controllori di illuminazione
• Adatto per piattaforme di prova e riparazione di hardware legacy

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica.

In che modo il pacchetto aiuta la gestione termica su una scheda popolata?

Il formato a foro passante TO-220 consente il fissaggio di un dissipatore alla sua linguetta esposta, consentendo una migliore dissipazione fino alla sua potenza nominale di 39 W se montato in modo appropriato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per le prestazioni di commutazione?

Il design deve tenere conto della carica di gate di 51 nC quando si dimensionano i driver per ottenere i tempi di salita/discesa desiderati e le perdite di commutazione alle frequenze target.

Che tipo di canale e modalità di conduzione utilizza?

Si tratta di un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento e richiede un azionamento gate-source positivo per condurre.