MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 68 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHF068N60EF-GE3

Codice RS:: 204-7248
Codice costruttore:: SIHF068N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 68 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHF068N60EF-GE3

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:: 204-7248
Codice costruttore:: SIHF068N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	EF
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	68mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	39W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	51nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	10mm
	Lunghezza	28.6mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	4.6mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package TO-220
	Serie EF
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 68mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 39W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 10mm
	Lunghezza 28.6mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 4.6mm
	Standard automobilistico No

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 16 A - SIHF068N60EF-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e il controllo di potenza in sistemi industriali ed elettronici. È ottimizzato per il montaggio a foro passante in contenitori TO-220 e si adatta ad applicazioni che richiedono una robusta gestione della tensione e flessibilità dell'azionamento del gate. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature ed è adatto per progetti in cui le parti convenzionali a montaggio superficiale non sono pratiche.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • L'Rds(on) di 68 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento del carico • La corrente di drenaggio continua di 16 A supporta carichi di potenza moderati • La carica di gate tipica di 51 nC consente prestazioni di commutazione prevedibili • La dissipazione di potenza massima di 39 W gestisce il carico termico nei circuiti • La tolleranza del gate di 30 V consente la compatibilità con i driver gate standard

Applicazioni

• Adatto per la commutazione sul lato rete nei convertitori industriali • Ideale per i front-end dell'azionamento del motore ad alta tensione • Utilizzato per alimentatori a commutazione che gestiscono tensioni elevate • Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza in sistemi più grandi • Utilizzato con gruppi di alimentazione discreti che richiedono il montaggio a foro passante

Quali temperature estreme può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?

È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, adattandosi a condizioni di avvio a freddo e ambienti ad alta temperatura.

Come deve essere affrontata la gestione termica per un funzionamento sostenuto?

Con una dissipazione massima di 39 W, si consiglia di montare un dissipatore o un telaio per mantenere la temperatura di giunzione entro limiti sicuri durante i carichi continui.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione affidabile?

Il gate deve essere azionato entro ±30 V

la carica di gate tipica di 51 nC aiuta a stimare la corrente del driver richiesta e le perdite di commutazione.

L'imballaggio influisce sulle scelte di assemblaggio della scheda?

Il formato TO-220 a foro passante facilita l'assemblaggio con saldatura manuale o a onda e fornisce un robusto collegamento meccanico per layout ad alta potenza.