MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.182 Ω Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHA22N60EF-GE3

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Codice RS:
188-4871
Codice costruttore:
SIHA22N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.182Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo veloce.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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