MOSFET Vishay, canale N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHF085N60EF-GE3
- Codice RS:
- 279-9909
- Codice costruttore:
- SIHF085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 279-9909
- Codice costruttore:
- SIHF085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.084Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 35W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 35W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie EF Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 13 A - SIHF085N60EF-GE3
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza e le fasi di controllo in gruppi a foro passante. È progettato per gestire sollecitazioni elevate da drain a sorgente mentre funziona in un'ampia gamma di temperature, il che lo rende adatto per sistemi elettronici esigenti che richiedono una commutazione robusta e resistenza termica.
Caratteristiche e vantaggi:
• La capacità di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 13 A per un'erogazione di potenza sostenuta
• La bassa resistenza di accensione di 0,084 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 35 W supporta un carico termico moderato
• La carica di gate tipica di 63 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Valore nominale Vgs di ±30 V per tolleranze di gate drive robuste
• Corrente di drenaggio continua di 13 A per un'erogazione di potenza sostenuta
• La bassa resistenza di accensione di 0,084 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 35 W supporta un carico termico moderato
• La carica di gate tipica di 63 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Valore nominale Vgs di ±30 V per tolleranze di gate drive robuste
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con alimentatori che richiedono il montaggio a foro passante
• Può essere utilizzato per alimentatori di commutazione in apparecchiature industriali
• Adatto per lavori di prototipazione e riparazione su sistemi di alimentazione legacy
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con alimentatori che richiedono il montaggio a foro passante
• Può essere utilizzato per alimentatori di commutazione in apparecchiature industriali
• Adatto per lavori di prototipazione e riparazione su sistemi di alimentazione legacy
Che tipo di montaggio richiede e come influisce sulla gestione termica?
Utilizza un contenitore a foro passante TO-220 che consente il fissaggio a un dissipatore per una migliore dissipazione termica e un assemblaggio semplice del circuito stampato.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione efficiente?
Progettare il driver per fornire una carica sufficiente per la carica di gate tipica di 63 nC per ottenere i tempi di salita/discesa desiderati evitando al contempo una sollecitazione di gate eccessiva vicino al limite di ±30 V.
Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con variazione termica significativa mantenendo le caratteristiche elettriche.
Quali sono le caratteristiche di conduzione in avanti rilevanti per i percorsi di conduzione dei diodi?
La specifica di tensione diretta è di 1,2 V, che fornisce informazioni sui calcoli di perdita quando si verifica la conduzione del diodo corpo durante la commutazione o gli eventi di corrente inversa.
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