MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante
- Codice RS:
- 268-8296
- Codice costruttore:
- SIHG085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 tubo da 25 unità*
82,85 €
(IVA esclusa)
101,075 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 475 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 3,314 € | 82,85 € |
| 100 - 475 | 2,766 € | 69,15 € |
| 500 - 975 | 2,732 € | 68,30 € |
| 1000 + | 2,699 € | 67,48 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 268-8296
- Codice costruttore:
- SIHG085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.084Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 184W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 15.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 184W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 15.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 34 A - SIHG085N60EF-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 34 A supporta la gestione di carichi pesanti
• I bassi Rds(on) di 0,084 Ω riducono le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 184 W consente un funzionamento a potenza più elevata
• La carica gate tipica 63nC facilita la commutazione rapida negli SMPS
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C supporta ambienti caldi
Applicazioni
• Ideale per le estremità frontali dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per la conversione di potenza in inverter a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per circuiti a impulsi e inverter ad alta tensione
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per questo dispositivo?
Come deve essere affrontata la gestione termica nelle installazioni più impegnative?
Esistono limiti ambientali di funzionamento per implementazioni robuste?
Quali sono i limiti di sollecitazione elettrica che i progettisti devono rispettare?
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 0.084 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 0.084 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie SIHB085N60EF-GE3
- MOSFET Vishay 0.084 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP085N60EF-GE3
- MOSFET Vishay 0.052 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHG050N65SF-GE3
- MOSFET Vishay 0.026 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHG026N65E-GE3
- MOSFET Vishay 0.08 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHG080N65SF-GE3
- MOSFET Vishay 0.115 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHG110N65SF-GE3
- MOSFET Vishay 0.1 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHG100N65E-GE3
