MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 25 unità*

82,85 €

(IVA esclusa)

101,075 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi

Unità
Per unità
Per Tubo*
25 - 753,314 €82,85 €
100 - 4752,766 €69,15 €
500 - 9752,732 €68,30 €
1000 +2,699 €67,48 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
268-8296
Codice costruttore:
SIHG085N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHG

Tipo di package

TO-247AC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.7mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo corpo rapido che riduce le perdite di commutazione e di conduzione, ed è utilizzato in applicazioni quali alimentatori switching, alimentatori per server e alimentatori di correzione del fattore di potenza.

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.