MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

122,60 €

(IVA esclusa)

149,55 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 502,452 €122,60 €
100 +2,18 €109,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
279-9903
Codice costruttore:
SIHB150N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SIHB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

64nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET di potenza serie E e il transistor in esso è realizzato in materiale noto come silicio.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

Link consigliati