MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.137 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB150N60E-GE3

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Codice RS:
279-9903
Codice costruttore:
SIHB150N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.137Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 22 A - SIHB150N60E-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza in ambienti industriali impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di ambienti e viene fornito in un contenitore TO-263 a montaggio superficiale per le applicazioni in cui è richiesta la gestione della potenza e la gestione termica montate su scheda.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio di 600 V che consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 22 A per una gestione del carico prolungata
• Basso valore Rds(on) di 0,137 Ω che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 179 W per prestazioni termiche elevate
• Carica gate tipica 36 nC per un controllo di commutazione prevedibile
• Limite gate di 30 V che consente margini di azionamento gate robusti

Applicazioni


• Adatto per inverter per azionamento di motori industriali
• Ideale per alimentatori switching offline
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta tensione
• Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza
• Adatto per topologie a commutazione rigida nell'elettronica di potenza

Quali considerazioni sul contenitore influenzano la progettazione termica dei circuiti stampati?


Il formato a montaggio superficiale TO-263 richiede una notevole area di rame e vie termiche al di sotto del contenitore per estrarre il calore e sfruttare la capacità di dissipazione di 179 W mantenendo le temperature di giunzione.

In che modo la scelta del gate drive influisce sulle prestazioni di commutazione?


Con una carica gate tipica di 36 nC e un Vgs massimo di 30 V, la corrente del driver e il controllo della velocità di risposta influenzano direttamente le perdite di commutazione e le emissioni elettromagnetiche durante le transizioni.

Quali condizioni ambientali estreme può tollerare il dispositivo?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in installazioni esposte a ampie fluttuazioni di temperatura senza declassamento per il funzionamento di base.

Esistono vincoli sulla polarità o sul funzionamento del canale?


Il dispositivo è un MOSFET a canale N in modalità di potenziamento, pertanto richiede una tensione gate-sorgente positiva rispetto alla sorgente per l'accensione e deve essere utilizzato di conseguenza nella topologia del circuito.

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