MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 8 Pin, 8x8LR, Superficie SIHR080N60E-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

6,82 €

(IVA esclusa)

8,32 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1964 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 496,82 €
50 - 995,13 €
100 - 2494,53 €
250 - 9994,45 €
1000 +4,37 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9929
Codice costruttore:
SIHR080N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

E

Tipo di package

8x8LR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 51 A - SIHR080N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza esigenti in applicazioni a montaggio superficiale. Offre una combinazione di elevata tensione di blocco, notevole capacità di corrente continua e una tensione nominale di gate adatta per i circuiti di azionamento comuni, il che lo rende adatto per i sistemi che richiedono una commutazione compatta ad alta potenza in layout limitati.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità di blocco a 600 V consente l'uso di sistemi ad alta tensione
• La corrente continua di 51 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.084 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 500 W consente una gestione prolungata ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 63 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il valore nominale del gate di 30 V protegge contro le tensioni di azionamento del gate eccessive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per i front‐end di azionamento dei motori industriali
• Utilizzato con gli stadi dell'inverter a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per circuiti di correzione del fattore di potenza
• Adatto per saldatura a potenza media e riscaldamento a induzione

Quale intervallo di temperatura può tollerare in ambienti difficili?


Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ampie condizioni termiche senza declassamento per escursioni a temperatura moderata.

In che modo il pacchetto supporta i progetti di circuiti stampati compatti?


L'ingombro a 8 pin per montaggio superficiale 8x8LR consente un posizionamento denso della scheda fornendo al contempo un'adeguata connettività termica ed elettrica.

Qual è la tensione diretta durante la conduzione e il suo impatto?


La tensione diretta tipica è di 1,2 V, che influisce sulla caduta di tensione in stato attivo e deve essere presa in considerazione nei calcoli termici e di efficienza.

Questo dispositivo è adatto ai requisiti delle specifiche automobilistiche?


Non è specificato come di tipo automobilistico, pertanto non deve essere considerato conforme agli standard specifici per l'elettronica dei veicoli.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.