MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 8 Pin, 8x8LR, Superficie SIHR080N60E-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9929
- Codice costruttore:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 279-9929
- Codice costruttore:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 51A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | 8x8LR | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.084Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 51A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package 8x8LR | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua massima 51 A - SIHR080N60E-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'elettronica industriale e i sistemi di alimentazione più esigenti. Funziona come transistor a canale N in modalità di potenziamento su misura per l'installazione a montaggio superficiale e offre prestazioni robuste per applicazioni ad alta tensione pur rimanendo adatto per ambienti che richiedono componenti di alimentazione compatti e montati su scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• capacità di drenaggio 600 V per la commutazione ad alta tensione
• Gestione della corrente continua 51 A per carichi pesanti
• Basso Rds(on) di 0,084 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• dissipazione di potenza 500 W per spazio termico
• Carica gate tipica di 63 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
• Gate massimo di 30 V per adattarsi alle comuni tensioni di azionamento
• Gestione della corrente continua 51 A per carichi pesanti
• Basso Rds(on) di 0,084 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• dissipazione di potenza 500 W per spazio termico
• Carica gate tipica di 63 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
• Gate massimo di 30 V per adattarsi alle comuni tensioni di azionamento
Applicazioni
• Adatto per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato per la conversione CC-CC nelle apparecchiature di automazione
• Può essere utilizzato per la commutazione delle fasi nei sistemi di gestione dell'alimentazione
• Utilizzato con assemblaggi ad alta temperatura in ambienti difficili
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato per la conversione CC-CC nelle apparecchiature di automazione
• Può essere utilizzato per la commutazione delle fasi nei sistemi di gestione dell'alimentazione
• Utilizzato con assemblaggi ad alta temperatura in ambienti difficili
Quale intervallo di temperatura può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in sistemi esposti a ampie variazioni termiche.
Come è confezionato il dispositivo per l'assemblaggio su circuito stampato?
È fornito in un contenitore 8x8LR a montaggio superficiale con otto pin per supportare layout di circuito stampato compatti e posizionamento automatizzato.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?
Il gate non deve superare ±30 V
i progettisti devono garantire che i circuiti di azionamento limitino i Vgs entro questa soglia per evitare danni al gate.
In che modo il comportamento di commutazione influisce sulla gestione termica?
La carica di gate tipica di 63 nC influisce sulle perdite di commutazione e quindi sulla generazione di calore durante il funzionamento ad alta frequenza, informando i requisiti del dissipatore o del rame del circuito stampato.
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