MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 4 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito
- Codice RS:
- 653-178
- Codice costruttore:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- SIHM080N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 51A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.084Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 7.9mm | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 51A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 7.9mm | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio 51 A - SIHM080N60E-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor a canale N in modalità di potenziamento progettato per gestire elevate tensioni di drenaggio-sorgente durante il funzionamento su assemblaggi montati su circuito stampato. La sua struttura è adatta per ambienti termici impegnativi e processi di produzione standard.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale 600 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 51 A per una gestione del carico consistente • Rds(on) di 0,084 Ω per ridurre le perdite di conduzione • Carica gate tipica 42 nC per una dimensione gate-drive prevedibile • dissipazione di potenza di 500 W per una maggiore capacità di gestione della potenza • temperatura d'esercizio massima di 150 °C per una tolleranza alle alte temperature
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching nell'automazione industriale • Ideale per le fasi di inverter azionamento motore nelle apparecchiature di produzione • Utilizzato per convertitori c. c. - c. c. ad alta tensione nella distribuzione dell'alimentazione • Può essere utilizzato per topologie hard-switched nelle piattaforme di prova • Adatto per circuiti intermedi in inverter a energia rinnovabile
Quale stile di montaggio è richiesto per l'implementazione del circuito?
È progettato per il montaggio su circuito stampato utilizzando un contenitore PowerPAK con quattro pin per facilitare il collegamento termico ed elettrico.
Come devono essere selezionate le tensioni di azionamento del gate?
L'ampiezza dell'azionamento gate non deve superare il limite gate-sorgente di ±30 V e deve essere scelta per bilanciare la velocità di commutazione con la carica gate di 42 nC per controllare le perdite.
In quale intervallo di temperatura ambiente può operare?
Il dispositivo supporta il funzionamento fino a -55 °C e fino a 150 °C di temperatura di giunzione, consentendo l'uso in ampie condizioni ambientali.
In che modo il pacchetto aiuta la gestione termica?
Il fattore di forma PowerPAK fornisce un percorso termico compatto al circuito stampato, contribuendo a dissipare fino ai 500 W specificati in base alle appropriate strategie di raffreddamento a livello di scheda.
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