MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 4 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:
653-178
Codice costruttore:
SIHM080N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SIHM080N60E

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

7.9 mm

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay è un MOSFET di 4a generazione serie E progettato per la commutazione ad alta efficienza in applicazioni impegnative. È dotato di una bassa cifra di merito (FOM), capacità effettiva ridotta e prestazioni termiche ottimizzate. Confezionato in PowerPAK 8x8L, è ideale per server, telecomunicazioni, SMPS e alimentatori di correzione del fattore di potenza.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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