MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 4 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:
653-178
Codice costruttore:
SIHM080N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIHM080N60E

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7.9 mm

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay è un MOSFET di 4a generazione serie E progettato per la commutazione ad alta efficienza in applicazioni impegnative. È dotato di una bassa cifra di merito (FOM), capacità effettiva ridotta e prestazioni termiche ottimizzate. Confezionato in PowerPAK 8x8L, è ideale per server, telecomunicazioni, SMPS e alimentatori di correzione del fattore di potenza.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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