MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 4 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito

Codice RS:: 653-177
Codice costruttore:: SIHM080N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 4 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

10.296,00 €

(IVA esclusa)

12.561,00 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	3,432 €	10.296,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 653-177
Codice costruttore:: SIHM080N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	51A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	PowerPAK
	Serie	E
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.084Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	500W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	42nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	8mm
	Larghezza	7.9mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 51A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package PowerPAK
	Serie E
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 500W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 8mm
	Larghezza 7.9mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHM080N60E-T1-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio 51 A - SIHM080N60E-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor a canale N in modalità di potenziamento progettato per gestire elevate tensioni di drenaggio-sorgente durante il funzionamento su assemblaggi montati su circuito stampato. La sua struttura è adatta per ambienti termici impegnativi e processi di produzione standard.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale 600 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 51 A per una gestione del carico consistente • Rds(on) di 0,084 Ω per ridurre le perdite di conduzione • Carica gate tipica 42 nC per una dimensione gate-drive prevedibile • dissipazione di potenza di 500 W per una maggiore capacità di gestione della potenza • temperatura d'esercizio massima di 150 °C per una tolleranza alle alte temperature

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching nell'automazione industriale • Ideale per le fasi di inverter azionamento motore nelle apparecchiature di produzione • Utilizzato per convertitori c. c. - c. c. ad alta tensione nella distribuzione dell'alimentazione • Può essere utilizzato per topologie hard-switched nelle piattaforme di prova • Adatto per circuiti intermedi in inverter a energia rinnovabile

Quale stile di montaggio è richiesto per l'implementazione del circuito?

È progettato per il montaggio su circuito stampato utilizzando un contenitore PowerPAK con quattro pin per facilitare il collegamento termico ed elettrico.

Come devono essere selezionate le tensioni di azionamento del gate?

L'ampiezza dell'azionamento gate non deve superare il limite gate-sorgente di ±30 V e deve essere scelta per bilanciare la velocità di commutazione con la carica gate di 42 nC per controllare le perdite.

In quale intervallo di temperatura ambiente può operare?

Il dispositivo supporta il funzionamento fino a -55 °C e fino a 150 °C di temperatura di giunzione, consentendo l'uso in ampie condizioni ambientali.

In che modo il pacchetto aiuta la gestione termica?

Il fattore di forma PowerPAK fornisce un percorso termico compatto al circuito stampato, contribuendo a dissipare fino ai 500 W specificati in base alle appropriate strategie di raffreddamento a livello di scheda.