MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 135 mΩ Miglioramento, 25 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SIHH26N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
124-2251
Codice costruttore:
SIHH26N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

E

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

135mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

77nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

202W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Altezza

1mm

Larghezza

8.1 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor


I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS).

Caratteristiche


Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Bassa resistenza (RDS(on))

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Commutazione rapida

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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