MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.158 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK155N60E-T1-GE3

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Codice RS:
279-9919
Codice costruttore:
SIHK155N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.158Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

9.9mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET di potenza serie E e il transistor in esso è realizzato in materiale noto come silicio.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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