MOSFET Vishay, canale N 600 V, 0.158 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK155N60E-T1-GE3

Codice RS:: 279-9919
Codice costruttore:: SIHK155N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 600 V, 0.158 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK155N60E-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

5042,00 €

(IVA esclusa)

6152,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Ultimi pezzi su RS

2000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità	Per unità	Per bobina*
2000 +	2,521 €	5.042,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 279-9919
Codice costruttore:: SIHK155N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.158Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	36nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	156W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	9.9mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.158Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 156W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 9.9mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHK155N60E-T1-GE3

MOSFET serie SIHK di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 19 A - SIHK155N60E-T1-GE3

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in modalità di potenziamento ed è adatto per i sistemi elettronici che richiedono una corrente di drenaggio consistente e una gestione della potenza elevata in un ampio intervallo di temperature. Il dispositivo è progettato per il montaggio in un pacchetto compatto PowerPAK 10x12 ed è conforme ai requisiti RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 600 V consente l'uso in stadi di potenza ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 19 A supporta correnti di carico sostenute
• La dissipazione di potenza massima di 156 W consente di gestire operazioni di commutazione pesanti
• La bassa Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 36 nC facilita prestazioni di commutazione prevedibili
• L'azionamento gate massimo di 30 V consente il controllo gate a livello logico standard

Applicazioni

• Adatto per la commutazione sul lato primario SMPS negli alimentatori
• Ideale per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Utilizzato per moduli di conversione CC-CC ad alta tensione
• Può essere utilizzato per quasi-relè e array di commutazione a stato solido
• Adatto per telecomunicazioni e apparecchiature di distribuzione dell'alimentazione industriale

Quale gamma termica può resistere in installazioni impegnative?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'implementazione in ambienti industriali difficili.

Quali sono le considerazioni di montaggio rilevanti per la gestione termica?

Il formato PowerPAK 10x12 a montaggio superficiale consente un dissipatore di calore ravvicinato e un layout del circuito stampato a bassa resistenza termica se abbinato a un'adeguata colata e viti in rame.

Quanti pin sono presenti e come influisce il layout del circuito stampato?

Il dispositivo utilizza una configurazione a 8 pin, che consente collegamenti di drain, source e gate dedicati per un routing compatto ad alta corrente.

Qual è la tensione diretta tipica e dove è rilevante?

La tensione diretta è di 1,2 V, il che è rilevante per gli scenari di conduzione corpo-diodo e le prestazioni di recupero inverso durante i transienti di commutazione.